fizik

n ve p tip iki materyal bir araya getirilip yapıştırıldığında yarıiletken diyod elde edilir.

Elektrik alan çoğunluk taşıyıcılarının geçişini engelleyecektir. Çoğunluk taşıyıcılar difüzyonla bir miktar karşılıklı olarak geçmeyi başarırlar. Azınlık taşıyıcılar alan etkisi ile çoğunluk taşıyıcılar difüzyonla karşı bölgeye geçmektedir. n-tip materyal içindeki çoğunluk taşıyıcıları elektronlar p-tip yapının içine gidebilmesi için n-tip yapı içinde (+) iyon tabakasının çekici kuvvetlerini ve p-tip yapı içinde (-) iyon tabakasının oluşturduğu ekranı yenmek zorundadır.

n-tip yapı içinde çoğunluk taşıyıcılarının sayısı oldukça büyüktür. Bu yapı içinde p-tip materyalin içine geçecek kadar az sayıda yeterli kinetik enerjilere sahip çoğunluk taşıyıcısı(elektron) olacaktır. Benzer olay p-tip yapı içindeki boşluklara da uygulanabilir.

Yorumlar (0)

Bu icerige ait yorumlari masaustune alabilirsiniz

Yorum Yazin

Adiniz

Email

Baslik

Yorum

eksi not | arti not

Bu yoruma abone ol (Sadece kayitli kullanicilar icin)

Okudum ve kabul ediyorum Yorum gonderim kurallari.

Lutfen resimdeki guvenlik kodunu girin

Yorum Ekleyin