fizik

Uygulanan potansiyelden dolayı n-tip yapı içindeki serbest elektronlar pozitif potansiyelde tutulan tarafa ilerleyeceği için arayüze yakın bölgedeki  iyon sayısı artacaktır.

Benzer olay p-tip yapı içinde arayüze yakın bölgede  iyon sayısı artacaktır.

            Net etki arınma bölgesindeki genişlemedir. Bu bölgeyi aşmak isteyen çoğunluk taşıyıcıları için büyük bir engel bu arınma bölgesinde oluşur. Dolayısıyla çoğunluk taşıyıcıları için akım sıfıra çok yakındır.

            Arınma bölgesi içine giren azınlık taşıyıcılarının sayısı voltaj uygulanmadığı durumdaki ile aynı olacak, değişmeyecektir. p yapısı içine giren (-) yük (azınlık taşıyıcısı) arınma bölgesi içinde doğru ilerlerken n yapı  içindeki (+) yük azınlık taşıyıcıda arınma bölgesi içine ilerleyecek.

Yorumlar (0)

Bu icerige ait yorumlari masaustune alabilirsiniz

Yorum Yazin

Adiniz

Email

Baslik

Yorum

eksi not | arti not

Bu yoruma abone ol (Sadece kayitli kullanicilar icin)

Okudum ve kabul ediyorum Yorum gonderim kurallari.

Lutfen resimdeki guvenlik kodunu girin

Yorum Ekleyin