|
Optik süreçlerdeki
karmaşıklığın bir sonraki aşaması, gelen bir fotona karşılık katıdan dışarıya
bir elektron salınmasıdır. Katılardan x- ışını foto-salınımı (XPS) veya
morötesi foto-salınımı (UPS) gibi önemli deneysel teknikler yakın zamanlarda
geliştirildiler. Bu teknikler katı hal fiziğinde bant yapısı tayini,kataliz
adsorpsiyon gibi yüzey fiziği incelemelerinde kullanılırlar.
XPS ve UPS spektrumları
doğrudan bant durum yoğunlukları ile karşılaştırılabilirler. Nümune
önce tek dalgaboylu x-ışını veya morötesi ışıkla ışınlanır. Foton soğrulması
sonucu salınan elektronun kinetik enerjisi,gelen fotonun enerjisinden
elektronun katıdaki bağlanma enerjisi kadar az olur. Elektronlar yüzeye
yakın,tipik olarak 50 Ao derinlikteki ince bir tabakadan salınırlar.
Kimyasal analizde
elektron spektroskopisi (ESCA) denilen spektrometre sistemlerinde duyarlık 0.6
eV kadar olduğundan bant yapısı tayininde, özellikle iç elektronlar için çok
hassas bir yöntemdir.
Gümüşün valans bant
yapısı Şek.17 de, Fermi düzeyi referans alınarak gösterilmiştir.
Fermi düzeyinin ilk 3 eV luk
aşağısındaki elektronlar 5 s iletkenlik bandından gelirler. 3 eV den öte
yandaki yüksek pik 4 d valans elektronlarından kaynaklanır.
Şekil
17: Gümüşün valans
bandından salınan elektronların sayısı.
Daha derindeki düzeylerin
uyarılmaları, genellikle, plazmon uyarılmasıyla birlikte mümkün olur. Örneğin,
silisyumda bağlanma enerjisi 99.2 eV ye yakın olan 2p elektronların bir plazmon
uyarılması için 117 eV de, iki plazmon uyarılması için 134.7 eV de
gözlenmiştir. Plazmon enerjisi 18 eV dir.
- Charles Kittel, Einführung in die Festkörperphysik, 6.
Ayflage,R. Oldenbourg Verlag München Wien, 1983.
- J.S. Blakemore, Solid State Physics, second edition, ambridge
University Press,1985.
- Mustafa Dikici, Katıhal Fiziğine Giriş, Samsun 19 Mayıs
Üniversitesi yayını, 1992.

|